自從1948年發(fā)明晶體管之后出現(xiàn)集成電路，半導(dǎo)體器件蝕刻工藝對(duì)各種材料進(jìn)行不同的化學(xué)腐蝕來(lái)產(chǎn)生線路，但是當(dāng)線路的尺寸進(jìn)入微米的時(shí)候，濕法蝕刻已無(wú)法滿足精度和重復(fù)性。直到半導(dǎo)體干法蝕刻的發(fā)展，使用輝光放電產(chǎn)生的氣體等離子來(lái)進(jìn)行腐蝕加工，成為了半導(dǎo)體線路的微化時(shí)代。干法蝕刻成為了半導(dǎo)體決定性的革命技術(shù)。
　　
　　蝕刻，是將顯影后產(chǎn)生的光阻圖案轉(zhuǎn)印到光阻下的材料上，形成光刻后的線路圖形。濕法蝕刻具有蝕刻材料與光阻及下層材料較優(yōu)的選擇比，但是化學(xué)反應(yīng)并沒(méi)有方向性，濕法蝕刻會(huì)造成overcut，undercut等現(xiàn)象，導(dǎo)致圖型不佳。
　　
　　隨著晶圓尺寸變大，線路越來(lái)越小，還須要有更高的重復(fù)性，干法蝕刻成為如今能夠有效的在高良率下工作的工藝，干法蝕刻采用等離子蝕刻技術(shù)，使用輝光放電來(lái)進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)印。
　　
　　我們提供干法蝕刻所使用的各種氣體，其中三氯化硼(BCl3)為我公司強(qiáng)而有力的產(chǎn)品之一，提供半導(dǎo)體級(jí)高純度三氯化硼(BCl3)的產(chǎn)品，歡迎來(lái)電洽詢。